首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   9867篇
  免费   867篇
  国内免费   513篇
电工技术   808篇
技术理论   1篇
综合类   1296篇
化学工业   266篇
金属工艺   319篇
机械仪表   1246篇
建筑科学   67篇
矿业工程   213篇
能源动力   69篇
轻工业   285篇
水利工程   11篇
石油天然气   76篇
武器工业   80篇
无线电   2854篇
一般工业技术   483篇
冶金工业   61篇
原子能技术   39篇
自动化技术   3073篇
  2024年   22篇
  2023年   83篇
  2022年   128篇
  2021年   174篇
  2020年   222篇
  2019年   166篇
  2018年   116篇
  2017年   238篇
  2016年   246篇
  2015年   287篇
  2014年   475篇
  2013年   436篇
  2012年   622篇
  2011年   668篇
  2010年   503篇
  2009年   577篇
  2008年   599篇
  2007年   839篇
  2006年   807篇
  2005年   746篇
  2004年   549篇
  2003年   542篇
  2002年   420篇
  2001年   391篇
  2000年   354篇
  1999年   244篇
  1998年   185篇
  1997年   181篇
  1996年   104篇
  1995年   84篇
  1994年   80篇
  1993年   48篇
  1992年   34篇
  1991年   16篇
  1990年   12篇
  1989年   15篇
  1988年   11篇
  1987年   2篇
  1985年   3篇
  1984年   4篇
  1983年   2篇
  1982年   7篇
  1980年   1篇
  1979年   1篇
  1977年   1篇
  1959年   2篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
31.
为了满足不同生产实际的需要 ,介绍了利用单片机实现的空气干燥器控制仪的基本组成和工作原理 ,重点介绍了温度测量和A/D转换方法 ,进一步指出了提高测量准确度的途径。经实际应用表明 ,各项指标满足控制要求。  相似文献   
32.
织构对铟凸点剪切强度的影响   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
制作了2种形式的铟凸点:即直接蒸发沉积的铟柱和将铟柱回流得到的铟球。同时对比了铟柱和铟球2种凸点的剪切强度,测试结果表明铟球剪切强度为5.6MPa,铟柱的剪切强度为1.9MPa,前者约为后者的2.9倍。对铟凸点微观结构的X光衍射分析发现:铟柱剪切强度低是织构弱化所致;铟球剪切强度高是由于回流破坏了铟柱的理想(101)丝织构模式,从而提高了铟球的剪切强度。  相似文献   
33.
单片机自控系统在大型工程机械中得到了越来越广泛的使用,从而使设备的安全性、可靠性大为提高。文章着重分析了NS0631型轨道起重机中自控系统的结构、使用中存在的问题,提出了解决的方法及今后的改进设想。  相似文献   
34.
减少GPS接收机多径干扰的办法是采用特殊天线和在接收机中采取一定的措施。文中针对窄相关技术展开分析。重点分析影响接收机多径误差的因素及窄相关的性能,并给出仿真及分析结果。  相似文献   
35.
单片微型计算机键盘接口设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
张迎辉 《信息技术》2004,28(7):68-69,91
介绍了单片机系统中矩阵式键盘的特点和工作原理,以及大规模集成电路8255A。给出了8255A和MCS-51单片机的接口电路,以及实际应用中的软件设计框图等。  相似文献   
36.
存储器地址线断路故障的检测方法   总被引:1,自引:1,他引:0  
在各种单片机应用系统中,存储器的自检可有效地避免其不正常工作给系统带来的损害.介绍了存储器地址线发生断路故障检测的一般方法,并且提出了一种新的方法.  相似文献   
37.
在道岔缺口超标报警系统中的软件设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
杨义伟  蒋大明 《信息技术》2004,28(3):88-89,93
介绍了SED1335的性能及特点,重点阐述了它在道岔缺口超标报警系统中显示字符、汉字、构建友好界面的软件设计方法,提出了编写液晶显示程序的一些优良算法。  相似文献   
38.
高性能片式多层氧化锌压敏电阻器材料研究   总被引:2,自引:2,他引:0  
对非Bi系氧化锌压敏电阻材料进行了系统研究。研究结果表明:在ZnO基体材料中,添加适量PbO、Co2O3、Cr2O3、MnO2、ZrO2、TiO2、Sb2O3 、B2O3等非Bi系添加剂,采用传统陶瓷制备工艺和合适烧结工艺,可获得a >50、IL<1 mA、烧结温度低于1 100℃的实用非Bi系氧化锌电阻瓷料。采用该瓷料,利用MLC工艺,选用Pd30/Ag70电极浆料,制作出V1mA<30 V、a >30、IL<1 mA的片式多层压敏电阻器。  相似文献   
39.
介绍了物料计量秤在变角度下如何计算重量,以及变角度显示仪的工作原理和在实际中的运用。  相似文献   
40.
The effects of various stearic-palmitic acid blend concentrations in films, storage temperatures and storage times on potato chip quality were evaluated using Response Surface Methodology. Storage temperature and time affected the quality of potato chips. The maximum storage times for acceptable potato chip quality were: 30 to 43 days, 23 to 25 days, and 11 to 12 days for storage temperatures of 15, 25 and 35°C, respectively. Results were independent of stearic-palmitic acid blend concentrations.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号